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半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?該系列產(chǎn)品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達(dá)8V，非常適用于基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備及各種類型IoT通信裝置的電源電路。

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EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB幫助基地平臺(tái)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小規(guī)模

一般來說，GaN該組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)電阻和高速開關(guān)性能，有助于降低各種功耗，實(shí)現(xiàn)外圍組件的小型化。但其閘極耐壓性很低，因此在開關(guān)工作中仍存在組件可靠性問題。針對(duì)這個(gè)話題，ROHM通過原有結(jié)構(gòu)，新產(chǎn)品成功地將閘極-源極間額定電壓從過去的6V提高到了8V。也就是說，即使在開關(guān)過程中產(chǎn)生了6以上V過沖電壓，組件不會(huì)變質(zhì)，有助于提高電源電路的設(shè)計(jì)余額和可靠性。此外，該系列產(chǎn)品采用通用包裝，支持大電流，散熱性好，使安裝工程更容易操作。
新產(chǎn)品于2022年3月開始量產(chǎn)，前期制造的據(jù)點(diǎn)是ROHM Hamamatsu (日本濱松市)后期工程制造的據(jù)點(diǎn)是ROHM(日本京都市)。
ROHM它將有助于節(jié)能和小型化GaN組件產(chǎn)品系列命名為「EcoGaNTM」，致力于大大提高組件性能。ROHM將繼續(xù)研發(fā)融合「Nano Pulse Control」控制模擬電源技術(shù)等IC以及模塊，可以充分發(fā)揮GaN組件性能的電源解決方案有助于實(shí)現(xiàn)社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展。
名古屋大學(xué) 工學(xué)研究所 山本真義教授表示，今年，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省制定了2030年新建數(shù)據(jù)中心節(jié)能30%的目標(biāo)，距離實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)不到10年。然而，這些產(chǎn)品的性能不僅涉及節(jié)能，還涉及社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施的堅(jiān)固性和穩(wěn)定性。針對(duì)未來的社會(huì)需求，ROHM研發(fā)了新的GaN組件不僅節(jié)能性更好，IR代理而且閘極耐壓高達(dá)8V，能保證堅(jiān)固性和穩(wěn)定性。從本系列產(chǎn)品開始，ROHM通過融合自豪的模擬電源技術(shù)「Nano Pulse Control」，不斷提高各種電源效率，相信在不久的將來會(huì)掀起巨大的技術(shù)創(chuàng)新浪潮，然后在2040年半導(dǎo)體和信息通信行業(yè)實(shí)現(xiàn)碳中和的目標(biāo)。