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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制

（2025年4月30日更新）

半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?該系列產品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V，非常適用于基地臺、數據中心等工控設備及各種類型IoT通信裝置的電源電路。

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EcoGaN首波產品 GNE10xxTB幫助基地平臺和數據中心實現低功耗和小規模

一般來說，GaN該組件具有優異的低導電阻和高速開關性能，有助于降低各種功耗，實現外圍組件的小型化。但其閘極耐壓性很低，因此在開關工作中仍存在組件可靠性問題。針對這個話題，ROHM通過原有結構，新產品成功地將閘極-源極間額定電壓從過去的6V提高到了8V。也就是說，即使在開關過程中產生了6以上V過沖電壓，組件不會變質，有助于提高電源電路的設計余額和可靠性。此外，該系列產品采用通用包裝，支持大電流，散熱性好，使安裝工程更容易操作。
新產品于2022年3月開始量產，前期制造的據點是ROHM Hamamatsu (日本濱松市)后期工程制造的據點是ROHM(日本京都市)。
ROHM它將有助于節能和小型化GaN組件產品系列命名為「EcoGaNTM」，致力于大大提高組件性能。ROHM將繼續研發融合「Nano Pulse Control」控制模擬電源技術等IC以及模塊，可以充分發揮GaN組件性能的電源解決方案有助于實現社會的可持續發展。
名古屋大學工學研究所山本真義教授表示，今年，日本經濟產業省制定了2030年新建數據中心節能30%的目標，距離實現這一目標不到10年。然而，這些產品的性能不僅涉及節能，還涉及社會基礎設施的堅固性和穩定性。針對未來的社會需求，ROHM研發了新的GaN組件不僅節能性更好，IR代理而且閘極耐壓高達8V，能保證堅固性和穩定性。從本系列產品開始，ROHM通過融合自豪的模擬電源技術「Nano Pulse Control」，不斷提高各種電源效率，相信在不久的將來會掀起巨大的技術創新浪潮，然后在2040年半導體和信息通信行業實現碳中和的目標。