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士蘭明鎵SiC第一條電源器件生產(chǎn)線初步通線SiC設備芯片投片成功

（2025年7月16日更新）

10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，最近，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實現(xiàn)初步通線SiC設備芯片投影成功，第一批投影產(chǎn)品的參數(shù)指標符合設計要求，項目分階段取得進展。斯蘭明鎵正在加快后續(xù)設備的安裝和調(diào)試，目標是在今年年底形成每月2000件6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。

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斯蘭微表示，該公司已完成第一代平面柵SiC-MOSFET在技術開發(fā)中，性能指標達到了行業(yè)內(nèi)同類設備結構的先進水平。公司已經(jīng)SiC-MOSFET芯片包裝在汽車主驅(qū)動功率模塊上，參數(shù)指標較好，繼續(xù)完成評估，即將向客戶戶。

據(jù)了解，2017年12月18日，石蘭微與廈門半導體投資集團有限公司在中國廈門簽署了《化合物半導體項目投資合作協(xié)議》。雙方合作在廈門市海滄區(qū)建設4/6寸兼容化合物半導體生產(chǎn)線，總投資50億元，其中一期總投資20億元，二期總投資30億元。

根據(jù)《投資合作協(xié)議》，廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司(以下簡稱士蘭明鎵)在廈門市海滄區(qū)共同投資成立。

截至2021年底，士蘭明鎵已完成第一期20億元投資，每月形成7.2萬片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的生產(chǎn)能力在小間距內(nèi)顯示，miniLED顯示屏、紅外光耦合、安全監(jiān)控LED廣泛應用于其他領域。

2022年7月，期建設項目于2022年7月正式啟動，即SiC電力設備生產(chǎn)線建設項目。本項目計劃投資15億元，建設6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線最終形成年產(chǎn)14.4萬片6寸SiC其中，功率器件芯片的產(chǎn)能SiC-MOSFET芯片12萬片/年，SiC-SBD芯片2.4萬片/年。