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10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，最近，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線SiC設(shè)備芯片投影成功，第一批投影產(chǎn)品的參數(shù)指標(biāo)符合設(shè)計(jì)要求，項(xiàng)目分階段取得進(jìn)展。斯蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝和調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成每月2000件6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。

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斯蘭微表示，該公司已完成第一代平面柵SiC-MOSFET在技術(shù)開(kāi)發(fā)中，性能指標(biāo)達(dá)到了行業(yè)內(nèi)同類設(shè)備結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司已經(jīng)SiC-MOSFET芯片包裝在汽車主驅(qū)動(dòng)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，繼續(xù)完成評(píng)估，即將向客戶戶。

據(jù)了解，2017年12月18日，石蘭微與廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司在中國(guó)廈門(mén)簽署了《化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目投資合作協(xié)議》。雙方合作在廈門(mén)市海滄區(qū)建設(shè)4/6寸兼容化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線，總投資50億元，其中一期總投資20億元，二期總投資30億元。

根據(jù)《投資合作協(xié)議》，廈門(mén)士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱士蘭明鎵)在廈門(mén)市海滄區(qū)共同投資成立。

截至2021年底，士蘭明鎵已完成第一期20億元投資，每月形成7.2萬(wàn)片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的生產(chǎn)能力在小間距內(nèi)顯示，miniLED顯示屏、紅外光耦合、安全監(jiān)控LED廣泛應(yīng)用于其他領(lǐng)域。

2022年7月，期建設(shè)項(xiàng)目于2022年7月正式啟動(dòng)，即SiC電力設(shè)備生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目。本項(xiàng)目計(jì)劃投資15億元，建設(shè)6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線最終形成年產(chǎn)14.4萬(wàn)片6寸SiC其中，功率器件芯片的產(chǎn)能SiC-MOSFET芯片12萬(wàn)片/年，SiC-SBD芯片2.4萬(wàn)片/年。