士蘭明鎵SiC第一條電源器件生產線初步通線SiC設備芯片投片成功
（2025年9月3日更新）
10月24日，士蘭微發布公告稱，最近，士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現初步通線SiC設備芯片投影成功，第一批投影產品的參數指標符合設計要求，項目分階段取得進展。斯蘭明鎵正在加快后續設備的安裝和調試，目標是在今年年底形成每月2000件6英寸SiC芯片的生產能力。
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斯蘭微表示，該公司已完成第一代平面柵SiC-MOSFET在技術開發中，性能指標達到了行業內同類設備結構的先進水平。公司已經SiC-MOSFET芯片包裝在汽車主驅動功率模塊上，參數指標較好，繼續完成評估，即將向客戶戶。
據了解，2017年12月18日，石蘭微與廈門半導體投資集團有限公司在中國廈門簽署了《化合物半導體項目投資合作協議》。雙方合作在廈門市海滄區建設4/6寸兼容化合物半導體生產線，總投資50億元，其中一期總投資20億元，二期總投資30億元。
根據《投資合作協議》，廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司(以下簡稱士蘭明鎵)在廈門市海滄區共同投資成立。
截至2021年底，士蘭明鎵已完成第一期20億元投資，每月形成7.2萬片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的生產能力在小間距內顯示，miniLED顯示屏、紅外光耦合、安全監控LED廣泛應用于其他領域。
2022年7月，期建設項目于2022年7月正式啟動，即SiC電力設備生產線建設項目。本項目計劃投資15億元，建設6英寸SiC功率器件芯片生產線最終形成年產14.4萬片6寸SiC其中，功率器件芯片的產能SiC-MOSFET芯片12萬片/年，SiC-SBD芯片2.4萬片/年。
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