國產(chǎn)芯片彎道超車:曝光長江存儲欲直接量產(chǎn)232層閃存
（2025年9月3日更新）
在國內(nèi)芯片領(lǐng)域，存儲芯片的性能和追趕速度是最快的領(lǐng)域。此前道，國內(nèi)存儲芯片Ramtron代理大廠已完成192層3D NAND閃存樣品的自主研發(fā)將在今年年底前量產(chǎn)交付。
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目前有消息稱，長江存儲計劃跳過192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。
這意味著，如果長江存儲批量生產(chǎn)232層閃存芯片，中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)將達(dá)到國際先進(jìn)水平。
目前三星和SK明年年初，海力士將量產(chǎn)超過200層閃存，長江儲存超過192層，直接生產(chǎn)232層，達(dá)到一線水平。
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