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5月13日，意法半導體和MACOM宣布成功生產射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。

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RF GaN-on-Si為5G和6G基礎設施提供了巨大的潛力。金屬氧化物半導體的長期射頻功率技術橫向擴散(LDMOS)早期射頻功率放大器主導(PA)。對于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS射頻特性較高，輸出功率明顯較高。

此外，它可以是硅或碳化硅(SiC)芯片制造。由于高功率應用SiC晶圓及其非主流半導體加工的競爭，RF GaN-on-SiC可能更貴。

目前，意法半導體和MACOM先進射頻交付已開始進一步研究GaN-on-Si產品速度。

半導體功率晶體管集團總經理兼執行副總裁EdoardoMerli我們相信該技術已經達到了性能水平和工藝成熟度，可以有效地挑戰現有技術LDMOS和GaN-on-SiC，為大規模應用提供成本和供應鏈優勢，包括無線基礎設施和商業化，將RF GaN-on-Si我們與產品商業化MACOM下一個重要個重要里程碑�！�

意MCC代理法半導體和MACOM合作早有淵源。

2018年2月，MACOM和法半導體宣布硅上氮化鎵GaN合作開發協議。意大利半導體MACOM在硅上制造氮化鎵射頻芯片。

2019年3月，MACOM和法半導體(ST)2019年宣布擴大ST工廠在150mm硅基氮化鎵產能，200mm硅基氮化鎵根據需求擴產。擴產計劃旨在支持世界5G基于2018年初的電信網建設MACOM和ST已公布的硅基氮化鎵協議。

近日，意大利半導體發布了2022年第一季度財務報告。報告期內，公司凈收入為35.5億美元(約合人民幣238.68億元)，年增長17.6%，毛利率46.7%，年增長770個基點。凈利潤7.47億美元(約50.22億元人民幣)，年增長105.1%。

公司表示，Q預計收入將達到37.5億美元，環比增長5.8%，毛利率約46%。預計年收入將達到148億-153億美元。