
5月13日,意法半導體和MACOM宣布成功生產射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型。
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RF GaN-on-Si為5G和6G基礎設施提供了巨大的潛力。金屬氧化物半導體的長期射頻功率技術橫向擴散(LDMOS)早期射頻功率放大器主導(PA)。對于這些射頻功率放大器,GaN可以提供比LDMOS射頻特性較高,輸出功率明顯較高。
此外,它可以是硅或碳化硅(SiC)芯片制造。由于高功率應用SiC晶圓及其非主流半導體加工的競爭,RF GaN-on-SiC可能更貴。
目前,意法半導體和MACOM先進射頻交付已開始進一步研究GaN-on-Si產品速度。
半導體功率晶體管集團總經理兼執行副總裁EdoardoMerli我們相信該技術已經達到了性能水平和工藝成熟度,可以有效地挑戰現有技術LDMOS和GaN-on-SiC,為大規模應用提供成本和供應鏈優勢,包括無線基礎設施和商業化,將RF GaN-on-Si我們與產品商業化MACOM下一個重要個重要里程碑。”
意MCC代理法半導體和MACOM合作早有淵源。
2018年2月,MACOM和法半導體宣布硅上氮化鎵GaN合作開發協議。意大利半導體MACOM在硅上制造氮化鎵射頻芯片。
2019年3月,MACOM和法半導體(ST)2019年宣布擴大ST工廠在150mm硅基氮化鎵產能,200mm硅基氮化鎵根據需求擴產。擴產計劃旨在支持世界5G基于2018年初的電信網建設MACOM和ST已公布的硅基氮化鎵協議。
近日,意大利半導體發布了2022年第一季度財務報告。報告期內,公司凈收入為35.5億美元(約合人民幣238.68億元),年增長17.6%,毛利率46.7%,年增長770個基點。凈利潤7.47億美元(約50.22億元人民幣),年增長105.1%。
公司表示,Q預計收入將達到37.5億美元,環比增長5.8%,毛利率約46%。預計年收入將達到148億-153億美元。
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