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原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)該工藝是與當(dāng)前和未來工藝節(jié)點(diǎn)相關(guān)的收縮以及在更復(fù)雜的設(shè)備幾何形狀上沉積薄層材料的關(guān)鍵技術(shù)。如今，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)以驚人的速度不斷進(jìn)步，準(zhǔn)確有效地生成關(guān)鍵設(shè)備特性已成為一個(gè)持久的挑戰(zhàn)。

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原子層沉積過程依靠專業(yè)的高性能原子層沉積閥在數(shù)百萬脈沖中輸送精確的化學(xué)劑量，形成材料層。輸送這些脈沖化學(xué)劑量的閥門必須越來越精確和一致，以達(dá)到原子級(jí)精度和高生產(chǎn)率。世偉洛克一直致力于這一點(diǎn)，并不斷更新ALD閥門使用壽命、響應(yīng)時(shí)間、高溫高流量應(yīng)用和一致性指標(biāo)的新高。

▲世偉洛克ALD一系列閥門開發(fā)過程▲

即將推出的世偉洛克ALD7超高純隔膜閥是ALD 通過提高流量一致性、流通能力、執(zhí)行機(jī)構(gòu)響應(yīng)速度和更高的溫度性能，技術(shù)創(chuàng)新可以提高芯片產(chǎn)量。

ALD7.創(chuàng)造不妥協(xié)的精度

ALD7提供了閥門與閥門、進(jìn)料與進(jìn)料、腔室與腔室在超高循環(huán)壽命下的一致性。

l 在 ALD 應(yīng)用中，ALD7 在數(shù)百萬次循環(huán)中提供準(zhǔn)確的進(jìn)料

l 改進(jìn)的執(zhí)行機(jī)構(gòu)技術(shù)使閥門執(zhí)行速度快于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，響應(yīng)時(shí)間低至5ms

l 執(zhí)行機(jī)構(gòu)可以浸入 150°C，閥體的額定溫度為 200°C，在高溫和真空條件下提供一致的流量

l ALD7由世衛(wèi)洛克專有的超高純度閥體 316L VIM-VAR不銹鋼構(gòu)成，具有耐腐蝕性氣體的能力

ALD7.性能更高，返工更少

與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)閥相比，ALD7 流通能力提高，但占用空間保持不變。緊湊的設(shè)計(jì)XPPower代理，在沒有重大工藝變化的情況下，半導(dǎo)體制造商可以提高原設(shè)備的生產(chǎn)力。

l ALD7 可提供高達(dá) 0.7 的流量系數(shù) (Cv) 并實(shí)現(xiàn)閥門與閥門之間準(zhǔn)確、可重復(fù)的進(jìn)料

l ALD7 與現(xiàn)有的世偉洛克保持一致 ALD 閥門相同的 1.5-inch占用空間

l 閥門有一個(gè)集成的熱隔離器，縮短了閥門的整體尺寸，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)師能夠利用反應(yīng)室附近的有限空間

新款 ALD7超高純（UHP）即使與我們的舊閥門相比，隔膜閥也能提供一致的改進(jìn)的性能。性能更高ALD在現(xiàn)有設(shè)備中更換閥門，無需重新設(shè)計(jì)。ALD7閥和其他世界偉大的洛克 ALD 閥門占用相同的空間，緊湊的閥門設(shè)計(jì)使工藝設(shè)計(jì)師能夠盡可能地利用反應(yīng)腔室附近的有限空間。

無論是集成到新設(shè)備還是現(xiàn)有設(shè)備中，ALD7 閥門為半導(dǎo)體設(shè)備 OEM 為提高芯片制造商的生產(chǎn)力，滿足芯片日益增長(zhǎng)的全球需求提供了一種簡(jiǎn)單的方法。在不增加運(yùn)營(yíng)成本的情況下，為制造商提供一致的性能，盡可能提高產(chǎn)量。

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