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NANDFlash制造商一直試圖通過(guò)增加每個(gè)單元的存儲(chǔ)位數(shù)來(lái)提高存儲(chǔ)設(shè)備的存儲(chǔ)密度。據(jù)外國(guó)媒體報(bào)道，凱霞最近表示，該公司一直在試圖在一個(gè)單元中存儲(chǔ)更多的比特?cái)?shù)NAND Flash閃存。

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據(jù)報(bào)道，鎧俠最近表示，他已試圖將7存儲(chǔ)在每個(gè)單元中 Bits (7 bpc)，盡管在實(shí)驗(yàn)室和低溫條件下。為了提高存儲(chǔ)密度，存儲(chǔ)電壓狀態(tài)的數(shù)量將與每個(gè)單元一起存儲(chǔ)Bits指數(shù)增長(zhǎng)。例如，為了存儲(chǔ)4位，單元必須保持16個(gè)電壓電平 (2^4)但使用6位數(shù)字會(huì)增加到64(2)^6)。裝甲實(shí)現(xiàn)的每個(gè)單元存儲(chǔ)7位需要保持128個(gè)電壓(2^7)。

2022年國(guó)際記憶研討會(huì) (IMW 2022) 它展示了一篇描述其成就的論文俠利用外延生長(zhǎng)構(gòu)建的單晶硅通道達(dá)到7 bpc單晶硅的電阻低于多晶硅，因此更容易記錄此類(lèi)單元。報(bào)告稱(chēng)，與傳統(tǒng)晶體管相比，單晶硅單元晶體管的亞閾值斜率漏電流和讀取噪聲更低。這種NAND Flash該單元尚未在商業(yè)上實(shí)現(xiàn)。為了記錄和閱讀，鎧俠的科學(xué)家不得不在實(shí)驗(yàn)室完成試驗(yàn)，將芯片浸入液氮中(-196°C)穩(wěn)定材料，降低電壓要求。

在實(shí)Wolfson代理定制晶體管只是超高密度的NAND Flash挑戰(zhàn)的一半。首先，研究人員必須開(kāi)發(fā)和使用適合處理128種電壓狀態(tài)的自定義編碼方案SSD128個(gè)電壓電平的控制器可能和微處理器一樣復(fù)雜和昂貴。

因此，主要問(wèn)題是使用昂貴而復(fù)雜SSD控制器將3D NAND記錄密度從5 bpc增加到7 bpc是否有意義。雖然最好的SSD通常成本很高，但過(guò)于先進(jìn)的控制器可能會(huì)變得過(guò)于昂貴，并消除它們的所有優(yōu)點(diǎn)。西方數(shù)據(jù)認(rèn)為，即使在2025年之后，即使是5年 bpc的3D NAND幾乎毫無(wú)意義。然而，鎧俠現(xiàn)在展示了7 bpc物理可能性甚至可以提高到8 bpc。