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據(jù)外媒報道，三星電子即將在國際電子設備會議上舉行（IEDM）報告了新一代非易失性存儲器件領域的最新研究進展。根據(jù)會議收到的信息，三星研究人員在14歲nm FinFET磁性隧道堆疊的磁阻隨機存取存儲器在邏輯工藝平臺上實現(xiàn)(MRAM)據(jù)說制造是世界上規(guī)模最小、功耗最低的非易失性存儲器。

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該團隊采用三星28nm嵌入式MRAM，將磁性隧道結擴展到14nm FinFET邏輯過程。三星研究人員將在12月舉行的國際電子設備會議上報告。

論文中提到中提到ESMT代理該團隊生產了一個獨立的存儲器，其寫入能量要求為每比特25pJ，讀取的有效功率要求為14mW，寫入的有效功率要求為27mW，每秒54的數(shù)據(jù)速率Mbyte。

為了實現(xiàn)這一性能，研究小組將磁性隧道結縮小到三星14nm FinFET邏輯平臺，上一代28nm節(jié)點的MRAM面積增加了33%，取時間增加2.6倍。

本研究的目標之一是證明嵌入式MRAM適用于依賴大型數(shù)據(jù)集和分析的高速緩存器，如邊緣AI。