
臺積電、Intel、三星狂買ASML EUV光刻機
(2025年6月28日更新)
臺積電將于2025年在北美技術論壇上發布新的工藝路線圖nm采用工藝Nanosheet取代納米片電晶體的微觀結構FinFET。在此期間,臺積電甚至計劃了5種3種nm制程,包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X,在2025年之前,包括建設更多晶圓廠在內的成熟和專業化工藝產能將提高50%。
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顯然,作為產能提升和晶圓廠建設的關鍵核心設備,EUV采購大量光刻機是必不可少的。臺積電表示,計劃于2024年推出ASML的新一代EUV極紫外光刻機。此前,Intel我曾經說過我是第一個訂單ASML下一代EUV光刻機制造商計劃在2025年前使用。三星也不甘示弱。本周,副總裁李在镕親自去荷蘭會面ASMIntersil代理L據說高層至少贏得了18臺(ASML預計今年將出貨51臺EUV)。數據顯示,荷蘭ASML新型光刻機正在研發中High-NA EXE:5200(0.55NA),所謂High-NA即高值孔徑,2nm之后的節點必須依靠它來實現。光刻機價值4億美元(約26億元人民幣),雙層巴士大,重200多噸。
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