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三星晶圓OEM部門(mén)最近一直負(fù)面，據(jù)報(bào)道，一些員工涉嫌偽造和虛報(bào)5nm、4nm、3nm工藝的良品率，如高通VIP客戶必須離開(kāi)，重用臺(tái)積電生產(chǎn)驍龍8處理器。然而，從技術(shù)上講，三星仍然是唯一一代能夠跟上臺(tái)積電的晶圓Simcom代理工廠。

芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注于整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源，芯片庫(kù)存實(shí)時(shí)查詢，行業(yè)價(jià)格合理，采購(gòu)方便IC芯片，國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)芯片采購(gòu)平臺(tái)。

雖然在7nm、5nm及4nm節(jié)點(diǎn)落后，但在接下來(lái)的3點(diǎn)nm三星節(jié)點(diǎn)更激進(jìn)，全球首發(fā)GAA放棄晶體管工藝FinFET晶體管技術(shù)，臺(tái)積電3nm工藝仍將基于FinFET工藝。

三星之前說(shuō)過(guò)，GAA它是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，由納米片設(shè)備制成MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，該技術(shù)能顯著提高晶體管的性能，主要取代多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管FinFET晶體管技術(shù)。

根據(jù)三星的說(shuō)法，7nm與制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)邏輯面積效率提高45%以上，功耗降低50%，性能提高35%左右，但紙面參數(shù)優(yōu)于臺(tái)積電3nm FinFET工藝。

當(dāng)然，這些還是紙上的，三星的3nm工藝挑戰(zhàn)也不少，光是量產(chǎn)就是個(gè)問(wèn)題，在三星宣傳2021年量產(chǎn)之前，其實(shí)并非如此，最快也是今年，而且是3GAE低功耗工藝，高性能3GAP工藝至少要2023年。

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星已準(zhǔn)備在韓國(guó)平澤市P3.工廠開(kāi)工建設(shè)3nm晶圓廠于6月和7月開(kāi)工，設(shè)備及時(shí)引入。

按照這個(gè)進(jìn)度，今年的3GAE這個(gè)過(guò)程只應(yīng)該是小規(guī)模的試生產(chǎn)，大規(guī)模的大規(guī)模生產(chǎn)到明年，臺(tái)積電3nm工藝差不多，兩家都因?yàn)楦鞣N問(wèn)題推遲了量產(chǎn)3nm工藝了。