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高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品和全球供應商的先驅(qū)Transphorm, Inc.最近宣布推出七種參考設計，旨在加快基于氮化鎵的設計USB-C PD電源適配器的研發(fā)。參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項，涵蓋各種拓撲結構、輸出和功率(45W至140W）。

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SuperGaN技術差異化優(yōu)勢

電源適配器參考設計SuperGaN第IV代650V FET，這些特點具有設計簡單、可靠性高、性能強等優(yōu)點Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，175毫歐e-mode與氮化鎵器件相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃在50%和100%(全)功率下，導通電阻上升幅度較低，性能較高。

電源適配器參考設計

Transphorm參考設計組合包括五個開放框架USB-C PD參考設計，頻率范圍從140到300 kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor65合作開發(fā)W有源鉗位反激模式(ACF)運行頻率為140kHz，峰值效率為94.5%。

● (1x) 45W適配器參考設計采用準諧振反激模式(QRF)拓撲結構可提供24 W/in3的功率密度

● (3x) 65W參考設計采用適配器ACF或QRF拓撲結構可提供30個 W/in3的功率密度

● (1x) 100W功率因數(shù)校正適用器參考設計(PFC) QRF拓撲結構可提供18 W/in3的功率密度

Transphorm參考設計組合還包括兩個開放框架USB-C PD/PPS參考設計，頻率范圍為110至140 kHz。Transphorm與Diodes Inc.利用公司合作開發(fā)了這兩種解決方案ACF峰值效率超過93.5%。

● (1x) 65W參考設計采用適配器ACF拓撲結構可提供29 W/in3的功率密度

● (1x) 140W參考設計采用適配器PFC ACF拓撲結構可提供20個 W/in3的功率密度

Transphorm現(xiàn)場應用和技術銷售副總裁Tushar Dhayagude表示：“Transphorm具有獨特的優(yōu)勢，能夠提供唯一能夠廣泛應用、覆蓋多功率水平的氮化鎵FET組合。參考設計突出了我們的低功率能力。我們提供與控制器無關的服務PQFN和TO-220裝置，可大大簡化設計。這些優(yōu)點和其他特點都有IDT代理幫助客戶快速輕松地將具有突破性功率效率水平的氮化鎵解決方案推向市場。Transphorm氮化鎵器件的價值。