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6月30日，韓國三星電子正式宣布新一代環繞閘極晶體管（GAA）架構的3nm該工藝已進入量產階段，被稱為世界上第一個3nm進入生產生產廠，但市場預計三星的產能規模仍無法趕上競爭對手臺積電。臺積電仍保持3奈米下半年進入量產預期。據業界估計，第四季度的投資規模預計將超過1000件，包括高通、蘋果和英特爾。

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三星宣布量產GAA架構3nm該過程尚未公布首發客戶和生產能力計劃。外部電力報告客戶包括上海盤硅半導體和中國虛擬貨幣挖掘機芯片廠手機芯片廠高通，但高通將根據情況投影。三星指出，3nm采用多橋通道場效晶體管（MBCFET）的GAA專利技術突破鰭場效晶體管（FinFET）架構性能有限，能以更高的效率和更小的芯片尺寸實現更好的功耗性能。

三星指出，和5nm與該工藝相比，第一代3奈米工藝可以縮小芯片尺寸面積16%，性能提高23%，功耗降低45%。至于第二代3nm芯片尺寸35%，性能30%，功耗50%，預計2023年Taitien代理三星2nm會延續采用MBCFET預計2025年技術量產。

但三星在2021年晶圓代工論壇上指出，與5奈米相比，GAA架構3nm工藝在功耗、性能和面積（PPA）優化效益與第二代3奈米工藝相同。業內人士認為，三星宣布量產的第一代3奈米應該還沒有達到預期的工藝微縮目標，2023年量產的第二代3奈米可以算是真正完整的版本。

臺積電3nm雖然延續FinFET結構，2022年下半年量產預期不變，3nmN3.當工藝推出時，它將是業界最先進的工藝技術，擁有最好的PPA晶體管技術。與上一代5奈米相比N5制程，N3.工藝邏輯密度將增加約70%，在相同功耗下提高10~15%，或在相同速度下降低25~30%，提供支持智能手機和高效操作的完整平臺（HPC）應用。