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三星在6月的最后一天宣布3nm該工藝正式量產。這一次，三星終于領先臺積電，率先量產新一代工藝，彎道超車，后者3nm量產將于今年下半年進行。

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據三星官方介紹，3nm在芯片上，它放棄了以前的芯片FinFET采用新的架構GAA晶體管架構大大提高了芯片的功耗性能。

與5nm新開發的3nm GAE該工藝可降低功耗45%，面積16%，性能23%。

第二代的3nm GAP該工藝可降低50%的功耗，提高30%的性能，同時減少35%的面積，效果更好。

以后呢？三星也有計劃，3nm GAP過程結束后將迎來2nm GAP工藝也是基于納米片技術的GAA晶體管，但結構進一步優化，從3個納米片提升到4個，可提高驅動電流，優化堆疊結構，提高性能，降低功耗。

2nm GAP工藝量產時間也定了，預計2025年量產，時間Megawin代理間點與臺積電量產2nm工藝差不多，由于臺積電的2nm在晶體管密度上擠壓牙膏的過程只有10%。