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● 產(chǎn)品達到成本和性能的雙重目標，現(xiàn)進入認證測試階段

● 實現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供應(yīng)取得了巨大進展

半導(dǎo)體公司服務(wù)于多個電子應(yīng)用領(lǐng)域，位居世界前列意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商和世界排名第一MACOM控股有限公司控股有限公司(以下簡稱以下簡稱MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于此結(jié)果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手深化合作。

射頻硅基氮化鎵可為5G和6G移動基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用帶來了巨大的發(fā)展?jié)摿Α５谝淮�射頻功率放大器 (PA)金屬氧化物半導(dǎo)體主要采用長期存在的橫向擴散(LDMOS) 射頻而且，功率技術(shù)GaN可以給這些射頻功率放大器具有更好的射頻特性和更高的輸出功率。此外，雖然GaN它可以在硅片或碳化硅上制造 (SiC) 晶圓上制造，但射頻碳化硅氮化鎵（RF GaN-on-SiC）畢竟不是主流半導(dǎo)體制造工藝，要考慮與高功率應(yīng)用競爭。SiC晶圓，這些都可能導(dǎo)致更昂貴的成本。半導(dǎo)體和意法 MACOM 射頻硅基氮化鎵技術(shù)正在開發(fā)中Tamura代理集成到標準半導(dǎo)體行業(yè)，在實現(xiàn)競爭性能的同時，也有望帶來巨大的規(guī)模經(jīng)濟效益。

意大利半導(dǎo)體制造的射頻硅基氮化鎵原型晶圓及相關(guān)設(shè)備已達到成本和性能目標，可與市場上現(xiàn)有的相匹配LDMOS和 GaN-on-SiC有效的技術(shù)競爭。這些原型即將進入認證測試和量產(chǎn)的下一個重要階段。半導(dǎo)體計劃的意法 2022 實現(xiàn)這一新的里程碑。意法半導(dǎo)體和 MACOM 研究如何加大投入，加快先進射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品上市。

半導(dǎo)體功率晶體管產(chǎn)品部總經(jīng)理兼執(zhí)行副總裁 Edoardo Merli我們相信，該技術(shù)的性能水平和工藝成熟度已經(jīng)達到了挑戰(zhàn)現(xiàn)有技術(shù)的水平 LDMOS和射頻GaN-on-SiC的程度。為無線基礎(chǔ)設(shè)施等大規(guī)模應(yīng)用帶來成本效益和供應(yīng)鏈優(yōu)勢。我們與射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品的商業(yè)化 MACOM 隨著合作項目的不斷進步，我們期待著釋放這項令人興奮的技術(shù)的所有潛力。”

MACOM 總裁兼首席執(zhí)行官 Stephen G. Daly 我們繼續(xù)取得良好的進展，促進硅基氮化鎵技術(shù)的商業(yè)化和大規(guī)模生產(chǎn)。我們與意大利半導(dǎo)體的合作是我們射頻功率戰(zhàn)略的重要組成部分。我相信我們可以在硅基氮化鎵技術(shù)的目標應(yīng)用領(lǐng)域贏得市場份額。