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● 產品達到成本和性能的雙重目標，現進入認證測試階段

● 實現彈性量產和供應取得了巨大進展

半導體公司服務于多個電子應用領域，位居世界前列意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供應商和世界排名第一MACOM控股有限公司控股有限公司(以下簡稱以下簡稱MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于此結果，意法半導體和MACOM將繼續攜手深化合作。

射頻硅基氮化鎵可為5G和6G移動基礎設施的應用帶來了巨大的發展潛力。第一代射頻功率放大器 (PA)金屬氧化物半導體主要采用長期存在的橫向擴散(LDMOS) 射頻而且，功率技術GaN可以給這些射頻功率放大器具有更好的射頻特性和更高的輸出功率。此外，雖然GaN它可以在硅片或碳化硅上制造 (SiC) 晶圓上制造，但射頻碳化硅氮化鎵（RF GaN-on-SiC）畢竟不是主流半導體制造工藝，要考慮與高功率應用競爭。SiC晶圓，這些都可能導致更昂貴的成本。半導體和意法 MACOM 射頻硅基氮化鎵技術正在開發中Tamura代理集成到標準半導體行業，在實現競爭性能的同時，也有望帶來巨大的規模經濟效益。

意大利半導體制造的射頻硅基氮化鎵原型晶圓及相關設備已達到成本和性能目標，可與市場上現有的相匹配LDMOS和 GaN-on-SiC有效的技術競爭。這些原型即將進入認證測試和量產的下一個重要階段。半導體計劃的意法 2022 實現這一新的里程碑。意法半導體和 MACOM 研究如何加大投入，加快先進射頻硅基氮化鎵產品上市。

半導體功率晶體管產品部總經理兼執行副總裁 Edoardo Merli我們相信，該技術的性能水平和工藝成熟度已經達到了挑戰現有技術的水平 LDMOS和射頻GaN-on-SiC的程度。為無線基礎設施等大規模應用帶來成本效益和供應鏈優勢。我們與射頻硅基氮化鎵產品的商業化 MACOM 隨著合作項目的不斷進步，我們期待著釋放這項令人興奮的技術的所有潛力。”

MACOM 總裁兼首席執行官 Stephen G. Daly 我們繼續取得良好的進展，促進硅基氮化鎵技術的商業化和大規模生產。我們與意大利半導體的合作是我們射頻功率戰略的重要組成部分。我相信我們可以在硅基氮化鎵技術的目標應用領域贏得市場份額。