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英特爾最近在美國檀香山舉行的一年VLSI公布國際研討會Intel 技術(shù)細(xì)節(jié)4。相較于Intel 7，Intel 4效率提高20%以上，高效組件庫（library cell）密度是兩倍，兩個(gè)關(guān)鍵目標(biāo)是滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進(jìn)先進(jìn)的技術(shù)和工藝模塊。

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英特爾公布Intel 技術(shù)細(xì)節(jié)4。
四年的英特爾之路，Intel 這些效率數(shù)據(jù)是如何實(shí)現(xiàn)的？ Intel 4關(guān)鍵尺寸，如鰭間距、接點(diǎn)間距和低層金屬間距（Critical Dimension），繼續(xù)向微縮方向前進(jìn)，同時(shí)引入設(shè)計(jì)技術(shù)共同優(yōu)化，縮小單個(gè)組件的尺寸。透過FinFET提高材料和結(jié)構(gòu)的效率，Intel 4單N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體的鰭片數(shù)量從Intel 7高效組件庫4片降至3片。綜合以上技術(shù)Intel 4能大大提高邏輯組件密度，減少路徑延遲和功耗。
Intel 7已導(dǎo)入自對準(zhǔn)四重成像技術(shù)（Self-Aligned Quad Patterning、SAQP）與主動組件閘極上接點(diǎn)（Contact Over Active Gate、COAG）提高邏輯密度的技術(shù)。前者通過單個(gè)微影和兩個(gè)沉積和蝕刻步驟將晶圓上的微影圖案縮小4倍，沒有多個(gè)微影層對準(zhǔn)的問題；后者直接將閘極接點(diǎn)設(shè)置在閘極上方，而不是傳統(tǒng)的閘極一側(cè)，從而提高組件密度。Intel 進(jìn)一步加入網(wǎng)格布線方案（gridded layout scheme），簡化規(guī)律的電路布線，提高效率，提高生產(chǎn)率。
隨著工藝的微縮，晶體管上方的金屬導(dǎo)線Ecliptek代理、接頭也縮小了；導(dǎo)線的電阻與線路直徑成反比，如何保持導(dǎo)線效率是需要克服的障礙。Intel 新的金屬配方稱為強(qiáng)化銅（Enhanced Cu），銅被用作導(dǎo)線和接頭的主體，而不是Intel 7使用的鈷在外層用鈷和鉭覆蓋；該配方具有銅的低電阻特性，減少了自由電子移動時(shí)對原子的沖擊，從而使電路失效（electromigration）現(xiàn)象，為Intel 為未來的工藝奠定基礎(chǔ)。
將光罩圖案成像到晶圓上最重要的變化可能是廣泛使用EUV簡化工藝。英特爾不僅用于現(xiàn)有良好解決方案中的最關(guān)鍵層EUV，而且在Intel 4在較高的互連層中使用EUV，大大降低光罩?jǐn)?shù)量和工藝步驟。它降低了工藝的復(fù)雜性，同時(shí)為未來的工藝節(jié)點(diǎn)建立了技術(shù)領(lǐng)先地位和設(shè)備生產(chǎn)能力，英特爾將在這些工藝中得到更廣泛的應(yīng)用EUV，世界上第一個(gè)量產(chǎn)高值孔徑（High-NA）EUV系統(tǒng)。