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力科最近宣布推出新產品DL-ISO 1 GHz高精度示波器 (HDO) 最準確的氮化鎵可以結合使用提供 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半導體器件的電氣特性表征。

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工程師們已經使用硅30多年了 (Si) 金屬氧化物半導體效應晶體管 (MOSFET) 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 生產電源和功率轉換系統的功率半導體器件。然而，消費者需要更小、更輕的電源和系統，而政府需要更高的效率。寬禁帶 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，開關速度比 Si 在降低尺寸和重量的同時，快十倍以上，提高效率。工程師在設計寬禁帶半導體系統時，需要對半導體器件進行更準確、更詳細的分析。

力科新型DL-ISO為設計工程師提供最可靠的高壓光隔離探頭 GaN 和SiC 測量功率半導體器件。新探頭配合力科行業領先的12位分辨率HDO示波器具有最佳的信號保真度最低過沖和最佳精度1.5%，幾乎是競爭對手的兩倍。

1 GHz帶寬滿足測量GaN器件1 ns要求上升時間。HDO在12位分辨率下，示波器仍然提供0 GS/s采樣率顯示最真實的高速采樣率GaN和SiC設備信號。新設計成功實施了這種最佳信號保真度、低過沖、高精度、高帶寬和高采樣率的組合GaN和SiC技術至關重要。

力科新功率器件軟件包自動執行JEDEC進一步簡化了開關損耗等測量，以顏色編碼突出顯示相關測量區域 GaN 和SiC 設備分析。