產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ALD
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
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ALD110900SAL 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：ALD110900SAL
- 制造商：Advanced Linear Devices Inc.（ALD）
- 描述：MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：EPAD?, Zero Threshold?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N 溝道（雙）配對
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：10.6V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：-
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：500 歐姆 @ 4V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：20mV @ 1μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2.5pF @ 5V
- 功率-最大值：500mW
- 工作溫度：0°C ~ 70°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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