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- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-TSSOP（0.173，4.40mm 寬）
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
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DMN2016UTS-13 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：DMN2016UTS-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- FET類型：2 N 溝道（雙）共漏
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：8.58A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：14.5 毫歐 @ 9.4A，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：16.5nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1495pF @ 10V
- 功率-最大值：880mW
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-TSSOP（0.173，4.40mm 寬）
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