產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：6-UDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品，Diodes芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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DMN3032LFDBQ-13 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：DMN3032LFDBQ-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6.2A（Ta）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：30 毫歐 @ 5.8A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：10.6nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：500pF @ 15V
- 功率-最大值：1W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-UDFN
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