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Diodes
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DMN61D8LVTQ-13 圖片
  • 制造廠商:Diodes(美臺)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
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DMN61D8LVTQ-13 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:DMN61D8LVTQ-13
  • 制造商:Diodes Incorporated(美臺半導體)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):630mA
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):1.8 歐姆 @ 150mA,5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):0.74nC @ 5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):12.9pF @ 12V
  • 功率-最大值:820mW
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
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