產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，TO-251
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
- 豐富的仙童公司產(chǎn)品，仙童芯片采購平臺
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FCD850N80Z 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FCD850N80Z
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
- 系列：SuperFET II
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：800V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：6A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：850 毫歐 @ 3A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 600μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：29nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1315pF @ 100V
- 功率 - 最大值：75W
- 安裝類型：通孔
- 產(chǎn)品封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-251
- FCD850N80Z優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的仙童芯片采購服務(wù)平臺。
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