產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場效應管，TO-252-3
- 技術參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
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FDD306P 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FDD306P
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
- 系列：PowerTrench
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅動
- 漏源極電壓 (Vdss)：12V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：6.7A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：28 毫歐 @ 6.7A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：21nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1290pF @ 6V
- 功率 - 最大值：1.6W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商器件封裝：TO-252-3
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