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Fairchild
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產品參考圖片
FDD3510H 圖片
  • 制造廠商:仙童
  • 類別封裝:場效應管陣列,TO-252-4L
  • 技術參數:MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
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FDD3510H 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:FDD3510H
  • 制造商:Fairchild 仙童半導體(已被ONSEMI安森美收購)
  • 描述:MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
  • 系列:PowerTrench
  • FET 類型:N 和 P 溝道
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):80V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):4.3A,2.8A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):80 毫歐 @ 4.3A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):18nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):800pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:1.3W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252AD
  • 供應商器件封裝:TO-252-4L
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