產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，8-MLP
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
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FDM606P 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FDM606P
- 制造商：Fairchild 仙童半導(dǎo)體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
- 系列：PowerTrench
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：6.8A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 6.8A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2200pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.92W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：8-MLP，MicroFET
- 供應(yīng)商器件封裝：8-MLP，MicroFET（3x2）
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