產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：場效應管陣列，8-PQFN
- 技術參數(shù)：MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
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FDMS3626S 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FDMS3626S
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
- 系列：PowerTrench
- FET 類型：2 N 溝道（雙）非對稱型
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：25V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：17.5A，25A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5 毫歐 @ 17.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：26nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1570pF @ 13V
- 功率 - 最大值：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：8-PowerTDFN
- 供應商器件封裝：8-PQFN（5x6）， Power56
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