產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：場效應管陣列，8-SSOT
- 技術參數(shù)：MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
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FDR8508P 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FDR8508P
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
- 系列：PowerTrench
- FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：3A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：52 毫歐 @ 3A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：750pF @ 15V
- 功率 - 最大值：800mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：8-SSOT，SuperSOT-8
- 供應商器件封裝：8-SSOT
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