產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場效應管，8-SSOT
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
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FDR858P 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FDR858P
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：19 毫歐 @ 8A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2010pF @ 15V
- 功率 - 最大值：900mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：8-SSOT，SuperSOT-8
- 供應商器件封裝：8-SSOT
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