產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場效應管，12-BGA
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 9A BGA
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FDZ201N 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FDZ201N
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 9A BGA
- 系列：PowerTrench
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：9A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 9A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1127pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：12-WFBGA
- 供應商器件封裝：12-BGA （2x2.5）
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