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Fairchild
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FQB1N60TM 圖片
  • 制造廠商:仙童
  • 類別封裝:單端場效應管,D2PAK
  • 技術參數:MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
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FQB1N60TM 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:FQB1N60TM
  • 制造商:Fairchild 仙童半導體(已被ONSEMI安森美收購)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
  • 系列:QFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):600V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):1.2A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):11.5 歐姆 @ 600mA,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):6nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):150pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:3.13W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商器件封裝:D2PAK
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