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Fairchild
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FQD13N06LTM 圖片
  • 制造廠商:仙童
  • 類別封裝:單端場效應管,TO-252-3
  • 技術參數:MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
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FQD13N06LTM 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:FQD13N06LTM
  • 制造商:Fairchild 仙童半導體(已被ONSEMI安森美收購)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
  • 系列:QFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):60V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):11A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):115 毫歐 @ 5.5A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):6.4nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):350pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應商器件封裝:TO-252-3
  • FQD13N06LTM優勢代理貨源,國內領先的仙童芯片采購服務平臺。
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