產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，D2PAK
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 1.9A
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FQD2N60CTM_WS 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FQD2N60CTM_WS
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A
- 系列：QFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：600V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：1.9A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.7 歐姆 @ 950mA，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：235pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
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