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- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場效應管，I2PAK
- 技術參數：MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK
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FQI6N15TU 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：FQI6N15TU
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK
- 系列：QFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：150V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：6.4A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 3.2A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.5nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：270pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.75W
- 安裝類型：通孔
- 產品封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應商器件封裝：I2PAK
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