產品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：JFET結點場效應管，SOT-23-3
- 技術參數：JFET N-CH 35V 350MW SOT-23
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MMBFJ112 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：MMBFJ112
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：JFET N-CH 35V 350MW SOT-23
- 系列：-
- FET 類型：N 溝道
- 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：35V
- 漏源極電壓 (Vdss)：-
- 不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：5mA @ 15V
- 漏極電流 (Id) - 最大值：-
- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）：1V @ 1μA
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
- 電阻 - RDS（開）：50 歐姆
- 安裝類型：表面貼裝
- 產品封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值：350mW
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