產品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場效應管，3-SSOT
- 技術參數：MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
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NDS356P 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：NDS356P
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：20V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：1.1A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：210 毫歐 @ 1.3A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5nC @ 5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：180pF @ 10V
- 功率 - 最大值：460mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 產品封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商器件封裝：3-SSOT
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