產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：飛思卡爾
- 類別封裝：RF FET，OM-780-2
- 技術(shù)參數(shù)：TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD
- 豐富的飛思卡爾公司產(chǎn)品，飛思卡爾芯片采購平臺(tái)
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AFT09S200W02GNR3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào): AFT09S200W02GNR3
- 制造商：Freescale 飛思卡爾半導(dǎo)體（已被NXP恩智浦收購）
- 功能總體簡(jiǎn)述: TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD
- 系列: -
- 晶體管類型: LDMOS
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: -
- 頻率: 960MHz
- 增益: 19.2dB
- 頻率 - 躍遷: -
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）: -
- 電壓 - 測(cè)試: 28V
- 額定電流: -
- 功率 - 最大值: -
- 噪聲系數(shù): -
- 不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: -
- 電流 - 測(cè)試: 1.4A
- 功率 - 輸出: 56W
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: -
- 安裝類型: -
- 電壓 - 額定: 70V
- 產(chǎn)品封裝: OM-780-2
- 供應(yīng)商器件封裝:
- AFT09S200W02GNR3優(yōu)勢(shì)代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的飛思卡爾芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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