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- 制造廠商：飛思卡爾
- 類別封裝：RF FET，OM-780-2
- 技術參數：TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD
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AFT09S200W02GNR3 技術參數詳情：
- 制造商產品型號: AFT09S200W02GNR3
- 制造商：Freescale 飛思卡爾半導體（已被NXP恩智浦收購）
- 功能總體簡述: TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD
- 系列: -
- 晶體管類型: LDMOS
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: -
- 頻率: 960MHz
- 增益: 19.2dB
- 頻率 - 躍遷: -
- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）: -
- 電壓 - 測試: 28V
- 額定電流: -
- 功率 - 最大值: -
- 噪聲系數: -
- 不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: -
- 電流 - 測試: 1.4A
- 功率 - 輸出: 56W
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: -
- 安裝類型: -
- 電壓 - 額定: 70V
- 產品封裝: OM-780-2
- 供應商器件封裝:
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