產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：飛思卡爾
- 類別封裝：RF場效應(yīng)管，NI-780HS-4
- 技術(shù)參數(shù)：DISCRETE RF FET
- 豐富的飛思卡爾公司產(chǎn)品，飛思卡爾芯片采購平臺
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MRF8P20160HSR3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MRF8P20160HSR3
- 制造商：Freescale 飛思卡爾半導(dǎo)體（已被NXP恩智浦收購）
- 描述：DISCRETE RF FET
- 系列：-
- 晶體管類型：LDMOS（雙）
- 頻率：1.92GHz
- 增益：16.5dB
- 電壓 - 測試：28V
- 額定電流：-
- 噪聲系數(shù)：-
- 電流 - 測試：550mA
- 功率 - 輸出：37W
- 電壓 - 額定：65V
- 產(chǎn)品封裝：NI-780HS-4
- 供應(yīng)商器件封裝：NI-780HS-4
- MRF8P20160HSR3優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的飛思卡爾芯片采購服務(wù)平臺。
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