產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，DIRECTFET
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 豐富的IR公司產(chǎn)品，IR芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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IRF6609TR1PBF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRF6609TR1PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列：HEXFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：31A（Ta），150A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2 毫歐 @ 31A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.45V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：69nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：6290pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：DirectFET 等容 MT
- 供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET MT
- IRF6609TR1PBF優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購服務(wù)平臺。
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