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IR
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IRF6619 圖片
  • 制造廠商:IR(國際整流器)
  • 類別封裝:單端場效應管,DIRECTFET
  • 技術參數:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
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IRF6619 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IRF6619
  • 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):30A(Ta),150A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 30A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.45V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):57nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5040pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:2.8W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:DirectFET 等容 MX
  • 供應商器件封裝:DIRECTFET MX
  • IRF6619優勢代理貨源,國內領先的IR芯片采購服務平臺。
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