產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，DIRECTFET
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
- 豐富的IR公司產(chǎn)品，IR芯片采購平臺
- 提供當日發(fā)貨、嚴格的質(zhì)量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術(shù)文檔
IRF6662TR1PBF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRF6662TR1PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
- 系列：HEXFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8.3A（Ta），47A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 8.2A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 100μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：31nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1360pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：DirectFET 等容 MZ
- 供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET MZ
- IRF6662TR1PBF優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)IR代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺