產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國(guó)際整流器）
- 類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，DIRECTFET
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 23A DFN3X3EP
- 豐富的IR公司產(chǎn)品，IR芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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IRF8306MTR1PBF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRF8306MTR1PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購(gòu)）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 23A DFN3X3EP
- 系列：HEXFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!
- FET 功能：邏輯電平門(mén)
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：23A（Ta），140A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2.5 毫歐 @ 23A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：38nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：4110pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：DirectFET 等容 MX
- 供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET MX
- IRF8306MTR1PBF優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IR代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)