產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：單端場效應管，8-SO
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
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IRF8707GPBF 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRF8707GPBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列：HEXFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：11.9 毫歐 @ 11A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：9.3nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：760pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商器件封裝：8-SO
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