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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
IR
熱門(mén)產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
IRFH3702TR2PBF 圖片
  • 制造廠商:IR(國(guó)際整流器)
  • 類別封裝:單端場(chǎng)效應(yīng)管,8-PQFN
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
  • 豐富的IR公司產(chǎn)品,IR芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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IRFH3702TR2PBF 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IRFH3702TR2PBF
  • 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購(gòu))
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門(mén)
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):16A(Ta),42A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):7.1 毫歐 @ 16A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):14nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1510pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:2.8W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝:8-PQFN (3x3)
  • IRFH3702TR2PBF優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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