產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：單端場效應管，PQFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
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IRFH5110TR2PBF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRFH5110TR2PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
- 系列：HEXFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Ta），63A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：12.4 毫歐 @ 37A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：72nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3152pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.6W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：8-PowerVQFN
- 供應商器件封裝：PQFN（5x6）
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