產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國(guó)際整流器）
- 類別封裝：場(chǎng)效應(yīng)管陣列，8-PQFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
- 豐富的IR公司產(chǎn)品，IR芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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IRFHM8363TR2PBF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRFHM8363TR2PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購(gòu)）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
- 系列：HEXFET
- FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：11A
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：14.9 毫歐 @ 10A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1165pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：8-PowerVDFN
- 供應(yīng)商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33
- IRFHM8363TR2PBF優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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