產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，I-Pak
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
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IRFU9N20D 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRFU9N20D
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
- 系列：HEXFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：200V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：9.4A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：380 毫歐 @ 5.6A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：560pF @ 25V
- 功率 - 最大值：86W
- 安裝類型：通孔
- 產(chǎn)品封裝：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
- 供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
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