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芯片采購,IC采購,芯片采購平臺(tái)
IR
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
IRLHS6376TR2PBF 圖片
  • 制造廠商:IR(國際整流器)
  • 類別封裝:場效應(yīng)管陣列,6-PQFN
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
  • 豐富的IR公司產(chǎn)品,IR芯片采購平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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IRLHS6376TR2PBF 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IRLHS6376TR2PBF
  • 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):3.6A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):63 毫歐 @ 3.4A,4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):2.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):270pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.5W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:6-VDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商器件封裝:6-PQFN(2x2)
  • IRLHS6376TR2PBF優(yōu)勢(shì)代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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