產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：場效應(yīng)管陣列，6-PQFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
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IRLHS6376TR2PBF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRLHS6376TR2PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
- 系列：HEXFET
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：3.6A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：63 毫歐 @ 3.4A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.8nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：270pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：6-VDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：6-PQFN（2x2）
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