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IR
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SI3443DV 圖片
  • 制造廠商:IR(國際整流器)
  • 類別封裝:單端場效應管,Micro6
  • 技術參數:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
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SI3443DV 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:SI3443DV
  • 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):4.4A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):65 毫歐 @ 4.4A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1079pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:SOT-23-6
  • 供應商器件封裝:Micro6(TSOP-6)
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