產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，8-SO
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
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SI4435DY 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SI4435DY
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- 系列：HEXFET
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 8A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2320pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：8-SO
- SI4435DY優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購服務(wù)平臺。
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