產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ISSI
- 類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：60-TFBGA
- 技術參數(shù)：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
- 豐富的ISSI公司產(chǎn)品，ISSI芯片采購平臺
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IS43DR86400D-3DBLI 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IS43DR86400D-3DBLI
- 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
- 產(chǎn)品系列：存儲器
- 包裝：托盤
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：不適用於新設計
- 存儲器類型：易失
- 存儲器格式：DRAM
- 技術：SDRAM - DDR2
- 存儲容量：512Mb（64M x 8）
- 存儲器接口：并聯(lián)
- 時鐘頻率：333MHz
- 寫周期時間-字，頁：15ns
- 訪問時間：450ps
- 電壓-供電：1.7V ~ 1.9V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：60-TFBGA
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