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IXYS
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FII50-12E 圖片
  • 制造廠商:IXYS
  • 類別封裝:晶體管 - IGBT - 陣列,封裝:i4-Pac?-5
  • 技術參數:IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
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FII50-12E 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:FII50-12E
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導體收購)
  • 描述:IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
  • 系列:晶體管 - IGBT - 陣列
  • 零件狀態:停產
  • IGBT類型:NPT
  • 配置:半橋
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):50A
  • 功率-最大值:200W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,30A
  • 電流-集電極截止(最大值):400μA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies):2nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC熱敏電阻:無
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:i4-Pac?-5
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