產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 陣列，封裝：9-SMD 模塊
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺(tái)
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IXA30PG1200DHG-TRR 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IXA30PG1200DHG-TRR
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
- 系列：晶體管 - IGBT - 陣列
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：PT
- 配置：半橋
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：43A
- 功率-最大值：150W
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，25A
- 電流-集電極截止（最大值）：2.1mA
- 不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies)：-
- 輸入：標(biāo)準(zhǔn)
- NTC熱敏電阻：無
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：9-SMD 模塊
- IXA30PG1200DHG-TRR優(yōu)勢(shì)代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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